[超极本资讯]超极本,创新源自英特尔
三星和SK海力士都开始使用新工艺量产低功耗的闪存芯片,美光今天也宣布使用30nm工艺量产DDR3L-RS标准的DRAM,主要针对超极本、平板电脑等移动设备。
DDR3L-RS此前被称作DDR3Lm,是对DDR3L规格的进一步优化,通过降低自我刷新耗电量(IDD6)来降低整体功耗,电压为标准的1.35V,同时保持与标准DDR3相同的性能、质量和可靠性,运行频率667/800MHz。
IHS iSuppli认为这是一种非常出色的内存规格,预计会有不少超轻薄平台采纳它。
美光的首批DDR3L-RS内存芯片采用30nm工艺制造,FBGA封装,单颗容量2Gb(128Mb×16/256Mb×8)、4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4),已经率先通过了Intel 7/C216系列芯片组、Ivy Bridge Core i7系列处理器的各方面测试。
另外美光还在试产更大容量的8Gb DDR3L-RS,分为256Mb×32、512Mb×16两种规格,运行频率800MHz,预计今年12月份正式投产。而下一代DDR4内存规格的新型DDR4-RS则可能在2013年年初推出。