Haswell中的eDRAM:性能提升明显 价格稍贵

发表时间:2013-04-25 06:00 来源:超极本之家 作者:赵斌 责任编辑:赵斌·yesky 评论()
[超极本资讯]超极本,创新源自英特尔

  有关Haswell的核芯显卡,在最近可谓异常吸引眼球。

  在北京IDF2013上,施浩德曾表示:“Haswell中的核芯显卡的性能,将能够超过80%中国市场中的独立显卡。”

  这一惊人的数字令现场很多人惊讶不已。就连笔者也没有想到,Haswell中的核芯显卡会有这么强大。当然,性能到底如何,我们还不能断言,还是要看实际的测试结果。

Haswell中的eDRAM:性能提升明显 价格稍贵
Intel

  而最近,有关Haswell核芯显卡又有了一些消息。Haswell处理器的核芯显卡不但有GT1、GT2、GT3三个档次,最上边还有个整合eDRAM缓存的GT3e。

  而有关eDRAM缓存,笔者在之前的一篇文章中,做过详细的介绍和分析。而最近,通过更细致、专业的分析,我们又发现了这点缓存的更多秘密。

  话说DRAM这个缓存,其实早在Ivy Bridge中,Intel就曾经考虑过将其整合到芯片中,以此来提高GPU的性能。但是后来,出于对成本和发热量两方面考虑,这种设计被欧德宁否定了。随之,这个计划也就流产了。

  而在即将发布的Haswell里,我们终于能够见到DRAM了。Haswell中的GPU搭配40个执行单元,这将是Intel有史以来最强大的图形核心,并且号称能够媲美NVIDIA GeForce GT 650M。不过这也只是会出现在高端笔记本当中,貌似在桌面平台和超极本中我们无缘见面。

  Intel曾经发布过一篇论文“具备三栅极晶体管和MIMCAP集成缓存的22nm高性能嵌入式DRAM SoC技术”。据此分析,Haswell GT3e搭配了128MB eDRAM缓存,和处理器之间的通信总线位宽在达到了512-bit,带宽估计有64GB/s,达到了主流笔记本显卡的水平。

  之所以用eDRAM而不用DDR3,主要是因为eDRAM更容易集成到Intel现有的工艺中,还有功耗、制造难度、成本等方面的考虑。

  Intel 22nm工艺下,eDRAM每个单元的面积是0.029平方微米,存储密度大约是每平方毫米17.5Mb,128MB就接近60平方毫米,还得加上外部接口等模块,估计总面积70-80平方毫米,即使这样,也将占据Haswell 1/3左右的面积,Haswell处理器本身约210-240平方毫米。

  而本文想说的重点,则是有关搭载GT3e处理器的价格。

  如果你想购买具备GT3e的处理器,需要为这些缓存额外支付多达50美元,价格相当高,已经可以入手一款低端的双核处理器了。所以它注定了只会用在高端笔记本上。要知道,Core i7-4770K的代理商报价为327美元,如果配备GT3e的话就会升至377美元,估计很多人都无法接受。

  笔者点评:

  50美元,这个价格确实贵了点。另外128MB DRAM现在的现货价格大概仅有1-3美元。GT3e这样的定价,确实让人有些费解。虽然说,性能的提升的好的,但是在提高了这50美元之后,该机的性价比会不会提升呢?50美元所换来的性能是否值这个价格呢?这在产品没出来前,我想谁也不敢断言。

  而至于这部分缓存到底是GPU独享,还是与CPU共享,我们依旧没能够得到确切消息,还是等待其上市吧。

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