[超极本资讯]超极本,创新源自英特尔
目前DDR3内存的颗粒和模组生产商已进入瓶颈期,而JEDC公布的DDR4内存规范尚未通过Intel和AMD的评估,产品最快要等到2014年才会面世。
世界最大的两家内存生产商三星和SK hynix在IDF2012 San Francisco公布的简报中,分别提到了DDR4内存将在2014年正式发布,不过首批产品不会面向消费级市场。
在SK hynix的简报中,会发现Haswell-EP可能会采用DDR4内存。从今年Q1开始,Intel和SK hynix已经进入了开发阶段,按照目前的路线图来看,最快或在2013年Q3正式采用。
超极本或采用DDR4-RS
超极本在2014年步入代号为Braodwell处理器世代后,将有机会采用DDR4-RS内存。不过SK hynix的高端产品依旧为LPDDR3。
DDR4除了能够挽救内存颗粒和模组生产商外,还有什么好处呢?
DDR4额定电压为1.2V,低于DDR3L的1.35V。通过图表可以看出虽然电压降低了,但传输速率将会更高。在1.35V的额定电压下,DDR3L提供1866Mb/s的速率;DDR4在1.2V的额定电压下可以达到3200Mb/s,快了近45%。
1.2V的电压可以将功耗降低50%,对于服务器而言,功耗越低,耗电量越少;而对于超极本或平板电脑而言,更低的功耗能够提高续航时间。
两家的DDR4内存将会采用2xnm制程。